در چند سال گذشته، سامسونگ شاهد کاهش شدیدی در کسب و کار ریخته گری تراشه های نیمه هادی خود بوده است. هیچ شرکت بزرگ تولید تراشه (به غیر از بخش System LSI سامسونگ که تراشه‌های Exynos را تولید می‌کند) از گره‌های فرآیند 3 نانومتری و نسل جدیدتر 4 نانومتری Samsung Foundry استفاده نکرده است. با این حال، این شرکت همچنان با توسعه گره های پردازش تراشه جدیدتر، از جمله گره های 2 نانومتری، به پیش می رود.
سامسونگ تولید انبوه تراشه های نسل دوم 3 نانومتری را در سال 2024 و تراشه های 2 نانومتری را در سال 2025 آغاز می کند.
گزارش جدیدی از Business Korea نشان داد که Samsung Foundry در حال توسعه نسل بعدی فناوری Gate All Around (GAA) است که در فناوری فرآیند 2 نانومتری این شرکت استفاده خواهد شد. تولید انبوه تراشه های نیمه هادی 2 نانومتری مبتنی بر این فناوری برای سال آینده برنامه ریزی شده است. طبق گزارش ها، شرکت کره جنوبی مقاله ای در مورد فناوری نسل سوم GAA، که برای تراشه های 2 نانومتری استفاده می شود، در نمایشگاه VLSI Symposium 2024 ارائه خواهد کرد. این نمایشگاه از 16 تا 20 ژوئن 2024 در هاوایی آمریکا برگزار می شود.
سمپوزیوم VLSI یکی از سه کنفرانس برتر جهانی نیمه هادی است که در آن فناوری های برتر در این زمینه مورد بحث قرار می گیرد. دو کنفرانس برتر تراشه های نیمه هادی دیگر، نشست بین المللی دستگاه های الکترونیکی (IEDM) و کنفرانس بین المللی مدارهای حالت جامد (ISSCC) هستند.
مزیت GAA چیست؟
GAA نوع جدیدی از طراحی ترانزیستور است که جریان جریان و راندمان توان را بهبود می بخشد. این محصول با نسل اول گره فرآیند 3 نانومتری سامسونگ Foundry معرفی شد. با این حال، هیچ شرکت تولید تراشه دیگری از جمله AMD، Apple، MediaTek، Nvidia و Qualcomm از آن استفاده نکرده است. انتظار می‌رود که بخش System LSI خود سامسونگ اولین شرکتی باشد که از فرآیند 3 نانومتری Samsung Foundry برای تراشه‌های اگزینوس نسل بعدی خود برای تلفن‌ها و ساعت‌های هوشمند استفاده می‌کند.
در مقایسه با تراشه‌های تولید شده در فرآیند 5 نانومتری Samsung Foundry، تراشه‌های نسل اول 3 نانومتری GAA کاهش 16 درصدی مساحت، 23 درصد بهبود عملکرد و 45 درصد بازده انرژی بالاتر را به نمایش گذاشتند. تخمین زده می‌شود که فرآیند 3 نانومتری نسل دوم کاهش 35 درصدی در اندازه تراشه، 30 درصد بهبود عملکرد و 50 درصد بازده انرژی بهتر را ارائه دهد. نسل سوم GAA که در تراشه‌های 2 نانومتری استفاده خواهد شد، طبق گزارش‌ها 50 درصد کاهش مساحت و 50 درصد عملکرد بالاتر را ارائه می‌کند.
رقیب اصلی سامسونگ، TSMC، هنوز از فناوری Gate All Around در گره های فرآیند پیشرفته خود استفاده نکرده است. سامسونگ قصد دارد تراشه های نسل دوم 3 نانومتری GAA (مانند گلکسی اس 25) را در نیمه دوم سال جاری به تولید انبوه برساند. انتظار می رود اینتل و TSMC از GAA در فرآیندهای 2 نانومتری نسل بعدی خود استفاده کنند.
