سامسونگ اعلام کرد که تولید انبوه نسل نهم تراشه های حافظه عمودی NAND (V-NAND) را آغاز کرده است. آنها 50٪ تراکم بیت بالاتری نسبت به محصولات نسل 8 دارند.
علاوه بر این، محصولات نسل نهم از یک رابط فلش NAND جدید به نام “Toggle 5.1” پشتیبانی می کنند که سرعت انتقال داده را تا 3.2 گیگابیت در ثانیه امکان پذیر می کند، که 33 درصد بیشتر از نسل های قبلی است. علاوه بر این، تراشههای جدید 10 درصد کارآمدتر هستند.
کارهای زیادی روی نسل نهم V-NAND انجام شد. سامسونگ از نوآوری های جدیدی مانند جلوگیری از تداخل سلولی و افزایش عمر سلولی استفاده کرده است. همچنین، این شرکت از فناوری پیشرفته حکاکی سوراخ کانال خود استفاده کرده است که به به حداکثر رساندن بهرهوری در کارخانه کمک میکند.
تراشه های جدید سریعتر و با ظرفیت بالاتر V-NAND در محصولاتی مانند SSDهای با کارایی بالا استفاده خواهند شد. سامسونگ قصد دارد پشتیبانی از PCIe 5.0 را گسترش دهد تا از تمام سرعت های اضافی استفاده کند.
در حال حاضر این شرکت در حال تولید انبوه تراشه های V-NAND نسل نهم 1 ترابایتی با سلول های سطح سه گانه (TLC) است. در نیمه دوم سال جاری نیز ساخت یک نوع سلول چهار سطحی (QLC) از این تراشه ها را آغاز خواهد کرد.
