سامسونگ از تراشه های ذخیره سازی پیشرو در صنعت رونمایی کرد

سامسونگ، بزرگ‌ترین سازنده تراشه‌های حافظه در جهان، فاش کرده است که امروز از سریع‌ترین و با ظرفیت‌ترین چیپ‌های ذخیره‌سازی جهان رونمایی خواهد کرد. این شرکت از محصولات جدید خود، همسو با رونق هوش مصنوعی، در رویداد Flash Memory Summit (FMS) 2024 در ایالات متحده رونمایی خواهد کرد.

سامسونگ تراشه های ذخیره سازی جدیدی را برای پشتیبانی از رونق هوش مصنوعی ارائه می کند

در رویداد Flash Memory Summit (FMS) 2024 که در سالن رقص Mission City در مرکز کنفرانس سانتا کلارا، ایالات متحده آمریکا برگزار می شود، سامسونگ از تراشه های ذخیره سازی جدید خود رونمایی خواهد کرد. مدیران شرکت Hwaseok Oh، Taeksang Song و Jim Elliot جزئیات این تراشه‌ها را بررسی خواهند کرد و توضیح خواهند داد که چگونه فناوری‌های تراشه‌های حافظه راه را برای تقویت مدل‌های هوش مصنوعی در مقیاس بزرگ هموار کرده‌اند.

PM1753

تراشه PM1753 این شرکت کره‌ای، سریع‌ترین SSD 16 کاناله نسل پنجم سلول سه‌سطحی (TLC) صنعت است. تا 1.7 برابر عملکرد سریعتر نسبت به نسخه قبلی و 1.6 برابر بازده بهتر دارد. این پروتکل امنیتی و مدل داده (SPDM) نسخه 1.2 و رابط PCI IDE را پشتیبانی می کند. این برای استفاده در سرورهای مورد استفاده برای پردازش هوش مصنوعی Generative طراحی شده است.

BM1743

SSD 128 ترابایتی BM1743 این شرکت در این رویداد به نمایش گذاشته خواهد شد. این SSD بزرگ‌ترین SSD سلول چهار سطحی (QLC) صنعت است و دارای سرعت خواندن متوالی تا 7500 مگابیت بر ثانیه و سرعت نوشتن متوالی تا 3000 مگابایت بر ثانیه است. سامسونگ ادعا می کند که در مقایسه با SSD نسل قبلی خود، 45 درصد بازده انرژی بهتری دارد.

PM9D3a

برای مراکز داده اصلی، سامسونگ SSD PM9D3a PCIe Gen 5.0 را با سرعت خواندن متوالی تا 12000 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن متوالی تا 6200 مگابایت بر ثانیه طراحی کرده است. سامسونگ ادعا می کند که سریع ترین SSD 8 کاناله PCIe Gen 5.0 صنعت است.

PM9E1

PM9E1 سامسونگ یک SSD PCIe Gen 5.0 برای پردازش هوش مصنوعی روی دستگاه است. تا 4 ترابایت فضای ذخیره سازی و 50 درصد بهبود بهره وری انرژی را ارائه می دهد. می تواند به سرعت خواندن متوالی تا 14500 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن متوالی تا 13000 مگابایت بر ثانیه دست یابد.

V9 TLC V-NAND

با توجه به راه حل های حافظه این شرکت، سلول سه سطحی V9 (TLC) اولین تراشه V-NAND نسل نهم صنعت است که تا 2 ترابایت ظرفیت دارد که در مقایسه با تراشه های V8 TLC، 54 درصد افزایش تراکم بیت را نشان می دهد. به گفته سامسونگ، این کوچکترین اندازه سلول و نازک ترین قالب صنعت را دارد. سرعت I/O آن تا 3.2 گیگابیت بر ثانیه است

V9 QLD V-NAND

V9 Quad-Level Cell (QLC) اولین تراشه V-NAND نسل نهم صنعت با ظرفیت حداکثر 2 ترابایت و سرعت ورودی/خروجی تا 3.2 گیگابیت بر ثانیه است. تراکم بیت آن در مقایسه با تراشه های V7 QLC 86 درصد افزایش یافته است و دارای پشتیبانی بافر SLC/TLC است.

CMM-D – DRAM

ماژول حافظه CMM-D – DRAM Compute Express Link (CXL) سامسونگ برای ارائه حافظه مقیاس پذیر ساخته شده است. حداکثر ظرفیت 1 ترابایت DDR5 و سرعت انتقال داده تا 26 گیگابایت بر ثانیه است. از استاندارد PCIe 5.0، فرم فاکتور EDSFF (e3.5) و رابط CXL 2.0 استفاده می کند.

CMM-H TM

این شرکت همچنین CMM-H TM خود را که اولین ماژول حافظه CXL ردیفی صنعت برای هایپروایزر است، معرفی کرد. دارای ظرفیت 1 ترابایت تا 4 ترابایت، گزینه های رابط CXL 2.0 Type 2 و PCIe 5.0 x16 و پشتیبانی از Virtualization Service Accelerator (VSA). دارای بهینه سازی و ردیف بندی حافظه است.

CMM-H PM

CMM-H PM اولین راه حل حافظه پایدار CXL مبتنی بر SoC با ظرفیت 32 گیگابایت LPDDR5 و سازگاری رابط CXL 2.0 Type 3 و PCIe 5.0 x4 است. دارای کارخانه فرم EDSFF (E3.L).

CMM-B CXL

دستگاه ادغام حافظه CMM-B CXL سامسونگ برای معماری های تفکیک شده است. تا 24 ترابایت CMM-D و صدها ترابایت ظرفیت CMM-H دارد. سرعت انتقال داده تا 60 گیگابایت بر ثانیه و سازگاری با CXL 1.1 و CXL 2.0 را دارد.