سامسونگ بار دیگر پروژه توسعه فناوری ساخت تراشه ۱.۴ نانومتری (SF1.4) را فعال کرده است؛ پروژهای که پیشتر به دلیل تمرکز این شرکت بر بهبود فرآیندهای ۲ نانومتری به تعویق افتاده بود. اکنون گزارشها نشان میدهند غول کرهای قصد دارد تولید انبوه این فناوری را از سال ۲۰۲۹ آغاز کند تا فاصله خود را با رقبایی مانند TSMC و Intel کاهش دهد.
تمرکز دوباره روی فناوری ۱.۴ نانومتری
بر اساس گزارش منتشرشده توسط رسانه کرهای The Bell، سامسونگ توسعه فرآیند SF1.4 را مجدداً در دستور کار قرار داده است. این پروژه در ابتدا قرار بود در سال ۲۰۲۷ وارد مرحله تولید انبوه شود، اما شرکت تصمیم گرفت منابع خود را روی تثبیت فناوریهای SF2 و SF2P متمرکز کند.
اکنون و پس از پیشرفت مناسب در فناوری ۲ نانومتری، سامسونگ دوباره برنامه توسعه نسل بعدی لیتوگرافی خود را آغاز کرده است.
تجهیزات جدید برای توسعه تراشههای آینده
گزارشها حاکی از آن است که سامسونگ از شرکای خود، از جمله Applied Materials و Lam Research، خواسته توسعه تجهیزات موردنیاز برای فرآیند ۱.۴ نانومتری را آغاز کنند.
قرار است نخستین تجهیزات به مرکز تحقیق و توسعه پیشرفته نیمههادی سامسونگ با نام NRD-K ارسال شوند؛ مرکزی که مسئول توسعه نسلهای آینده فناوریهای ساخت تراشه است.
استفاده از نسل جدید دستگاههای EUV
یکی از مهمترین بخشهای این پروژه، بهرهگیری از نسل جدید دستگاههای لیتوگرافی High-NA EUV ساخت شرکت ASML است.
این تجهیزات که دقت بسیار بالاتری نسبت به نسلهای قبلی دارند، قرار است از برخی لایههای فرآیند ۱.۴ نانومتری مورد استفاده قرار گیرند و نقش مهمی در افزایش تراکم ترانزیستورها و بهبود بازده تولید ایفا کنند.
سامسونگ هنوز از رقبا عقبتر است
با وجود ازسرگیری این پروژه، سامسونگ همچنان از دو رقیب اصلی خود عقبتر حرکت میکند.
بر اساس برنامههای فعلی:
- Intel قصد دارد تولید انبوه فناوری 14A (معادل کلاس ۱.۴ نانومتری) را در ۲۰۲۷ آغاز کند.
- TSMC نیز هدفگذاری کرده فناوری A14 را در ۲۰۲۸ وارد تولید انبوه کند.
- سامسونگ اما تولید انبوه SF1.4 را برای ۲۰۲۹ برنامهریزی کرده است.
با این حال، گفته میشود سامسونگ یک مزیت بالقوه نسبت به TSMC دارد؛ این شرکت از هماکنون روی استفاده از تجهیزات High-NA EUV سرمایهگذاری کرده، در حالی که TSMC هنوز برنامهای برای استفاده گسترده از این فناوری اعلام نکرده است.
موفقیت ۲ نانومتری، زمینهساز پروژه جدید
از دلایل بازگشت سامسونگ به پروژه ۱.۴ نانومتری، پیشرفت قابل توجه فرآیند ۲ نانومتری عنوان شده است.
گزارشها میگویند این شرکت توانسته بازده تولید تراشههای ۲ نانومتری را بهبود دهد و حتی سفارش ساخت تراشههای هوش مصنوعی نسل بعدی Tesla را نیز به دست آورد؛ موفقیتی که اعتماد سامسونگ را برای حرکت به سمت نسل بعدی فناوریهای ساخت تراشه افزایش داده است.
رقابت در صنعت نیمههادی دیگر تنها بر سر ساخت تراشههای سریعتر نیست، بلکه توانایی تولید انبوه با بازده بالا اهمیت بیشتری پیدا کرده است. سامسونگ در سالهای اخیر به دلیل مشکلات مربوط به نرخ بازده تولید، بخشی از بازار ریختهگری تراشه را به TSMC واگذار کرد و اکنون تلاش میکند این فاصله را جبران کند.
اگرچه هدفگذاری برای تولید انبوه فناوری ۱.۴ نانومتری در سال ۲۰۲۹ نشان میدهد سامسونگ از نظر زمانی پشت سر TSMC و اینتل قرار دارد، اما سرمایهگذاری زودهنگام روی تجهیزات High-NA EUV میتواند در بلندمدت به مزیتی رقابتی تبدیل شود؛ بهویژه اگر این شرکت بتواند بازده تولید را در سطح مطلوب حفظ کند.
بازگشت پروژه ۱.۴ نانومتری نشان میدهد سامسونگ قصد ندارد رقابت در بازار ریختهگری تراشه را واگذار کند. موفقیت این برنامه اما بیش از هر چیز به توانایی شرکت در افزایش بازده تولید و جذب مشتریان بزرگ وابسته خواهد بود.
منابع
- Gizmochina
- The Bell
- Samsung Foundry Roadmap Report
