آغاز عرضه حافظه HBM4 توسط سامسونگ؛ نمونههای HBM4E در راه مشتریان
شرکت Samsung Electronics اعلام کرد نخستین محمولههای حافظه نسل جدید HBM4 را برای مشتریان خود ارسال کرده و تولید انبوه این استاندارد تازه را رسماً آغاز کرده است. این اقدام، گامی مهم در رقابت فشرده بازار حافظههای پیشرفته برای کاربردهای هوش مصنوعی و پردازشهای سنگین به شمار میرود.
فناوری ساخت پیشرفته با فرآیند 1c DRAM و لیتوگرافی ۴ نانومتری
تراشههای HBM4 سامسونگ بر پایه نسل ششم فرآیند ۱۰ نانومتری کلاس DRAM موسوم به «1c» تولید میشوند. لازم به ذکر است که فناوری ساخت DRAM مستقیماً با نودهای پردازندههای مرکزی قابل مقایسه نیست.
در کنار آن، محصولات HBM4 از یک قالب منطقی (Logic Base Die) با فناوری ۴ نانومتری بهره میبرند که عملکرد بالاتری را فراهم میکند.
پهنای باند خیرهکننده؛ ۳.۳ ترابایت بر ثانیه
از نظر عملکرد، HBM4 قادر است سرعت ۱۱.۷ گیگابیتبرثانیه به ازای هر پین ارائه دهد؛ رقمی که ۴۶ درصد بالاتر از استاندارد صنعتی ۸ گیگابیتبرثانیه است. با توجه به اینکه این حافظه دارای ۲,۰۴۸ پین است، پهنای باند کلی آن به عدد چشمگیر ۳.۳ ترابایتبرثانیه میرسد؛ یعنی حدود ۲.۷ برابر سریعتر از نسل HBM3E.
نکته قابل توجه این است که سازمان استانداردسازی حافظه، یعنی JEDEC، هنگام تدوین استاندارد HBM4 تصمیم گرفت پهنای باند هر پین را نسبت به HBM3E (که ۹.۶ گیگابیتبرثانیه بود) کاهش دهد، اما تعداد پینها را از ۱,۰۲۴ به ۲,۰۴۸ افزایش دهد. این تصمیم با هدف بهبود بهرهوری انرژی و مدیریت بهتر حرارت اتخاذ شد.
با این حال، سامسونگ نهتنها به هدف تعیینشده رسیده، بلکه سرعت هر پین را از HBM3E نیز فراتر برده است. این شرکت اعلام کرده در آینده حتی امکان دستیابی به سرعت ۱۳ گیگابیتبرثانیه به ازای هر پین نیز وجود دارد.
ظرفیتهای بالاتر و طراحی ۱۶ لایه در آینده
در حال حاضر، حافظه HBM4 سامسونگ با فناوری انباشت ۱۲ لایه عرضه میشود و ظرفیتهایی بین ۲۴ تا ۳۶ گیگابایت دارد. این شرکت اعلام کرده بر اساس نیاز مشتریان، امکان توسعه طراحی ۱۶ لایه با ظرفیت حداکثر ۴۸ گیگابایت نیز وجود دارد.
حافظه HBM4 طراحیشده توسط سامسونگ از فناوری «اتصال عمودی سیلیکونی با ولتاژ پایین» (Low-Voltage TSV) و شبکه توزیع توان بهره میبرد که موجب بهبود ۴۰ درصدی بهرهوری انرژی میشود. همچنین مقاومت حرارتی این حافظه ۱۰ درصد کاهش یافته و دفع حرارت آن ۳۰ درصد بهتر از HBM3E است.
پیشبینی رشد چشمگیر تقاضا در سال جاری
سامسونگ پیشبینی میکند تقاضا برای محصولات حافظه این شرکت در سال جاری رشد قابل توجهی داشته باشد و فروش آن نسبت به سال ۲۰۲۵ تا سه برابر افزایش یابد. به همین منظور، این شرکت در حال گسترش ظرفیت تولید HBM4 است تا پاسخگوی نیاز بازار باشد.
نسل بعدی؛ HBM4E در راه است
طبق برنامه اعلامشده، نمونههای نسل بعدی این حافظه با نام HBM4E در نیمه دوم سال ۲۰۲۶ در اختیار مشتریان قرار خواهد گرفت. همچنین سامسونگ قصد دارد سال آینده نمونههای سفارشی HBM را بر اساس مشخصات موردنظر مشتریان تولید و ارسال کند.
«سانگ جون هوانگ»، معاون اجرایی و رئیس بخش توسعه حافظه در سامسونگ الکترونیکس، در این باره اعلام کرد:
«بهجای استفاده از طراحیهای اثباتشده پیشین، سامسونگ رویکردی جسورانه اتخاذ کرد و از پیشرفتهترین فناوریها مانند فرآیند DRAM 1c و لیتوگرافی ۴ نانومتری در HBM4 بهره گرفت. با تکیه بر رقابتپذیری در فرآیند تولید و بهینهسازی طراحی، ما توانستهایم حاشیه عملکرد قابل توجهی ایجاد کنیم و نیاز فزاینده مشتریان به کارایی بالاتر را در زمان مورد نیاز آنها برآورده سازیم.»
با توجه به رشد سریع بازار هوش مصنوعی و پردازشهای سنگین، ورود گسترده HBM4 میتواند جایگاه سامسونگ را در رقابت جهانی حافظههای پیشرفته بیش از پیش تقویت کند.
