به گفته Wccftech، جف پو، تحلیلگر Haitong Securities، اخبار مهمی در مورد آنچه که اپل با سری آیفون 16 سال آینده انجام خواهد داد، دارد. Pu اظهار می کند که هر چهار مدل جدید آیفون 2024 از همان تراشه A18 Pro استفاده می کنند که توسط TSMC با استفاده از گره پردازشی 3 نانومتری N3E نسل دوم آن ساخته می شود. اگر درست باشد، این تغییری را که اپل با سری آیفون 14 سال گذشته آغاز کرده بود، معکوس خواهد کرد.
سال گذشته، برای اولین بار، اپل همه مدل های آیفون عرضه شده در یک سال را به یک چیپست (بدون احتساب نسخه های آیفون SE) مجهز نکرد. آیفون 14 پرو و آیفون 14 پرو مکس به تراشه 4 نانومتری A16 Bionic با 16 میلیارد ترانزیستور مجهز شدند. آیفون 14 و آیفون 14 پلاس از پردازنده 5 نانومتری A15 Bionic که سال قبل در هر چهار مدل سری آیفون 13 استفاده می شد، استفاده می شد. هر چیپ دارای 15 میلیارد ترانزیستور بود.
امسال، آیفون 15 پرو و آیفون 15 پرو مکس تنها گوشی‌هایی در جهان هستند که دارای چیپست تولید شده با استفاده از گره پردازش 3 نانومتری هستند. A17 Pro دارای 19 میلیارد ترانزیستور است. آیفون 15 و آیفون 15 پلاس هر دو دارای پردازنده برنامه کاربردی سال گذشته (AP)، A16 Bionic، زیر کاپوت هستند.
همانطور که قبلاً اشاره کردیم، A18 Pro سال آینده توسط TSMC با استفاده از گره پردازش 3 نانومتری نسل دوم آن که N3E نام دارد، تولید خواهد شد و باید به TSMC اجازه دهد تا نرخ بازدهی خود را در تولید 3 نانومتری افزایش دهد. بازده درصد قالب هایی است که از طریق کنترل کیفیت در مقایسه با تعداد کل قالب هایی که می توان روی یک ویفر سیلیکونی ساخت. معمولاً شرکتی که طرح را برای یک تراشه ارائه می دهد، در این مورد اپل، مسئول قالب های معیوب است.
با این حال، بزرگ‌ترین مشتری TSMC بودن به اپل این امکان را داد تا قراردادی را برای امسال امضا کند که TSMC را از نظر مالی در قبال تراشه‌هایی که قابل استفاده نیستند، مسئول می‌داند. این معامله به گره فرآیند N3E گسترش نخواهد یافت. در مقایسه با گره فرآیند فعلی N3B که توسط TSMC برای ساخت A17 Pro استفاده می‌شود، فرآیند نسل دوم باید منجر به بهره‌وری انرژی بیشتر برای خط آیفون 16 شود.
این روزها از گره فرآیند برای علامت گذاری نسل های مختلف پردازنده ها استفاده می شود. با کاهش گره های فرآیند، اندازه ترانزیستور کاهش می یابد و به ترانزیستورهای بیشتری اجازه می دهد تا در داخل یک تراشه قرار گیرند. و هر چه تعداد ترانزیستور یک تراشه بیشتر باشد، تراشه قدرتمندتر و/یا بازده انرژی بیشتری دارد.
