بر اساس گزارش جدیدی از رویترز، سامسونگ الکترونیکس به زودی از همان فناوری SK Hynix برای تولید تراشه های HBM3 استفاده خواهد کرد.
سامسونگ از روش فیلم غیر رسانا (NCF) برای قرار دادن لایه‌های تراشه در تراشه‌های حافظه با پهنای باند بالا (HBM) استفاده می‌کند. بر اساس گزارش‌ها، این روش برای تراشه‌هایی با تعداد لایه‌های کمتر به خوبی کار می‌کند، اما مشکلاتی را با تراشه‌هایی با تعداد لایه‌های بالاتر ایجاد می‌کند و در نتیجه بازده تراشه‌ها کمتر می‌شود.
در نتیجه، گفته می شود سامسونگ با تراشه های HBM3 تنها 10 تا 20 درصد بازدهی را به دست آورده است. ظاهراً به همین دلیل است که سامسونگ از سایر شرکت‌ها در فضای HBM3 عقب مانده است، زیرا هیچ معامله‌ای با برندهای بزرگ مانند Nvidia برای تامین تراشه‌های HBM3 برای سیستم‌های GenAI انجام نداده است.
از سوی دیگر، SK Hynix از روشی به نام کم‌پر کردن قالب‌گیری مجدد جرم (MR-MUF) برای قرار دادن لایه‌های تراشه در تراشه‌های حافظه با پهنای باند بالا (HBM) استفاده می‌کند. بر اساس گزارش ها، این روش مشکلات ناشی از روش NCF سامسونگ را برطرف می کند که منجر به بازده بالاتر تراشه ها می شود. به این ترتیب، گفته می شود که این شرکت با تراشه های HBM3 به بازدهی 60 تا 70 درصدی دست یافته است.
ظاهراً به همین دلیل است که SK Hynix در بازار HBM3 عملکرد خوبی دارد و قبلاً با انویدیا، رهبر بازار GenAI، برای تامین تراشه‌های HBM3 برای سیستم‌های GenAI این برند قراردادی بسته است.
سامسونگ تجهیزاتی را برای تولید تراشه های HMB3 با استفاده از MR-MUF سفارش می دهد
گزارش رویترز می گوید که سامسونگ برای غلبه بر مشکلات NCF، افزایش بازده و به دست آوردن سهم در بازار HBM3، تجهیزاتی را برای تولید حافظه با استفاده از روش MR-MUF سفارش داده است. این نشریه مدعی است که این خبر مستقیماً از سوی افراد آشنا به این موضوع منتشر شده است.
یکی از منابع گفت: «سامسونگ مجبور شد کاری انجام دهد تا بازدهی HBM (تولید) خود را افزایش دهد. اتخاذ تکنیک MUF برای سامسونگ کمی غرور آفرین است، زیرا در نهایت از تکنیکی پیروی کرد که اولین بار توسط SK Hynix آن استفاده شد.
طبق گزارش‌ها، سامسونگ در حال مذاکره با تامین‌کنندگان مواد از جمله Nagase ژاپن برای تهیه مواد برای تولید تراشه‌های حافظه با استفاده از روش MUF است. سه نفر از آشنایان به این موضوع اضافه کردند که این شرکت از تکنیک‌های NCF و همچنین MUF برای آخرین تراشه‌های HBM خود استفاده خواهد کرد.
ماه گذشته، این شرکت از اولین تراشه 36 گیگابایتی HBM3E DRAM صنعت به نام HBM3E 12H رونمایی کرد. به گفته این برند، از Flm تراکم حرارتی پیشرفته غیر رسانا (TC NCF) استفاده می کند. در صورتی که فقط از NCF یا MR-MUF نیز استفاده می کند، هیچ اطلاعاتی وجود ندارد.
رویترز برای تایید این خبر با Samsung Electronics تماس گرفت و این شرکت تمام این ادعاها را رد کرد و گفت: “شایعات مبنی بر اینکه سامسونگ از MR-MUF برای تولید HBM خود استفاده خواهد کرد صحت ندارد.” در واقع، این برند گفت که فناوری NCF “راه حل بهینه” برای تولید محصولات HBM است و از این روش برای تراشه های جدید HBM3E خود استفاده خواهد کرد.
در ادامه افزوده شد: «ما طبق برنامه‌ریزی، کسب‌وکار محصول HBM3E خود را انجام می‌دهیم. سامسونگ از افشای درصد بازده تراشه‌های HBM3 خودداری کرد، اما این شرکت گفت که “نرخ بازدهی پایدار” را تضمین کرده است.
